局域电荷槽论文_罗小蓉,张波,李肇基,唐新伟

导读:本文包含了局域电荷槽论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:电荷,电场,纵向,界面,论文,热效应。

局域电荷槽论文文献综述

罗小蓉,张波,李肇基,唐新伟^[1]（2006）在《部分局域电荷槽SOI高压器件新结构》一文中研究指出提出了部分局域电荷槽SOI(partial locating charge trench SOI,PTSOI)高压器件新结构.该结构在槽内产生随漏极电压变化的界面电荷,此电荷使埋氧层纵向电场从传统的3ESi,C升高到接近Si O2的临界击穿电场ESi O2,C;另外,硅窗口将耗尽层引入衬底,因而提高了器件的击穿电压.同时,硅窗口的存在大大缓解了自热效应.借助二维器件仿真研究了器件的击穿特性和热特性.结果表明,漂移区厚2μm,埋氧层厚1μm的PTSOI耐压可达700V以上;对埋氧层厚1μm和3μm的PTSOI,其器件的最高温度分别比TSOI低6K和25K.(本文来源于《半导体学报》期刊2006年01期）

局域电荷槽论文开题报告

局域电荷槽论文参考文献

[1].罗小蓉,张波,李肇基,唐新伟.部分局域电荷槽SOI高压器件新结构[J].半导体学报.2006

论文知识图

本文来源: https://www.lunwen66.cn/article/2e92f3f64d8a3a08d10944da.html