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雾化施液单晶硅互抛抛光速率实验研究

论文摘要

调节自配抛光液的H2O2含量、p H值、抛光盘转速和抛光压力,通过电化学实验,探究单晶硅互抛抛光过程中抛光工艺参数对腐蚀电位、腐蚀电流和抛光速率的影响规律,并解释其电化学机理。实验结果表明:雾化施液单晶硅互抛抛光速率随着p H值、H2O2浓度和抛光盘转速的增大呈现先增大后减小的趋势,并在pH值为10. 5、H2O2浓度为2%、抛光盘转速为70 r/min处达到最大值,随着抛光压力的不断增大而增大;通过雾化施液单晶硅互抛抛光实验得到合理的工艺参数:p H值为10. 5、H2O2浓度为2%、抛光盘转速为60 r/min、抛光压力为7 psi,在该参数下,硅片的抛光速率达到635. 2 nm/min,表面粗糙度达到4. 01 nm。

论文目录

  • 1 引言
  • 2 实验
  •   2.1 原料及仪器
  •   2.2 参数和评价指标
  •     2.2.1 试验参数
  •     2.2.2 评价指标
  • 3 结果与讨论
  •   3.1 抛光液p H值对单晶硅极化曲线和抛光速率的影响
  •   3.2 H2O2浓度对单晶硅极化曲线和抛光速率的影响
  •   3.3 抛光压力对单晶硅腐蚀电压和抛光速率的影响
  •   3.4 抛光盘转速对单晶硅腐蚀电压和抛光速率的影响
  •   3.5 单晶硅抛光片表面质量
  • 4 结论

    • 文章来源

    类型: 期刊论文

    作者: 李庆忠,孙苏磊,李强强

    关键词: 雾化互抛抛光,抛光参数,电化学,抛光速率

    来源: 硅酸盐通报 2019年08期

    年度: 2019

    分类: 工程科技Ⅰ辑

    专业: 化学

    单位: 江南大学机械工程学院

    基金: 国家自然科学基金(51175228)

    分类号: O786

    DOI: 10.16552/j.cnki.issn1001-1625.2019.08.005

    页码: 2369-2374+2383

    总页数: 7

    文件大小: 300K

    下载量: 39

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    本文来源: https://www.lunwen66.cn/article/2f3110fa687abe905e74aaa3.html