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一种新型无机微晶驻极体材料SiO2-Ta2O5-B2O3-RO的制备与研究

论文摘要

通过成分选择与匹配,运用高温熔凝工艺在单晶硅片上制备成功SiO2-Ta2O5-B2O3-RO无机复合材料驻极体,实验显示:该材料为微晶结构,具有～2000级别的介电常数;恒栅压电晕充电后可获得与栅压相近的表面电位; TSD热刺激放电显示电流峰位于T=240℃处,固定不变且正负对称,被陷电荷的能阱深度约为～1.22eV;实验结果表明,Si O2-Ta2O5-B2O3-RO是一种同时具备对等正负电荷贮存能力的新型无机微晶驻极体复合材料。

论文目录

  • 0 引言
  • 1 实验
  •   1.1 样品制备
  •   1.2 实验与仪器
  • 2 结果与分析
  •   2.1 结构分析
  •   2.2 介电性能测试
  •   2.3 电晕充电/电荷注入试验
  •   2.4 开路热刺激放电TSD试验
  •   2.5 能阱深度计算
  • 3 结论与展望

    • 文章来源

    类型: 期刊论文

    作者: 黄志强,马雪涛,顾宇杰

    关键词: 绝缘硅,复合材料,介电,电荷贮存,热刺激放电

    来源: 功能材料与器件学报 2019年02期

    年度: 2019

    分类: 工程科技Ⅰ辑

    专业: 材料科学

    单位: 同济大学电信学院

    基金: 国家重点研发计划(No.2016YFB0400901)

    分类号: TB33

    页码: 124-129

    总页数: 6

    文件大小: 1477K

    下载量: 101

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    本文来源: https://www.lunwen66.cn/article/3110679eaf713bdb9c5bd684.html