低温红外分析半导体硅材料影响因素研究

低温红外光谱在半导体材料的结构、成分分析中有非常广泛的应用。本文从样品制备、仪器条件2个方面论述了低温傅立叶变换红外光谱仪分析半导体硅材料中间隙氧、代位碳及Ⅲ族、Ⅴ族杂质时的影响因素和预防措施,为低温红外分析技术的广泛应用提供了理论指导。

1 前言

2 样品制备

2.1 样品应力

2.2 热施主

2.3 晶体质量

2.4 样品两面过于平行

2.5 样品厚度

3 仪器条件

3.1 仪器白光

3.2 样品室温度

3.3 空气吹扫和参比

3.4 参比样品

3.5 仪器稳定性

4 结语

类型: 期刊论文

作者: 韩小月,李文忠,韦金孝,李艳梅,毛智慧

关键词: 低温红外,半导体硅材料,影响因素

来源: 检验检疫学刊 2019年06期

年度: 2019

分类: 经济与管理科学,工程科技Ⅰ辑,信息科技

专业: 化学,无线电电子学

单位: 昆明冶金研究院

分类号: TN304.12;O657.33

页码: 106-107

总页数: 2

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