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浅谈晶硅电池刻蚀去PSG工序过刻情况

论文摘要

刻蚀及去PSG可去除扩散后在硅片背面及周围形成的P-N结以及硅片表面的磷硅玻璃,有效地降低电池的并联电阻,提升电池转化效率。湿法刻蚀过程中过刻是一种常见的异常现象,会造成产品的批量返工。本文对晶硅电池制备过程中湿法刻蚀及去PSG工序过刻现象进行了简单分析。

论文目录

  • 1 刻蚀及去PSG技术简介
  •   1.1 刻蚀目的
  •   1.2 去PSG目的
  •   1.3 刻蚀及去PSG原理
  •   1.4 刻蚀设备
  • 2 过刻
  •   2.1 过刻的定义
  •   2.2过刻原因分析
  • 3结语

    • 文章来源

    类型: 期刊论文

    作者: 王进财

    关键词: 过刻,毛细作用,表面张力

    来源: 中国设备工程 2019年24期

    年度: 2019

    分类: 工程科技Ⅱ辑

    专业: 电力工业

    单位: 黄河水电西宁太阳能电力有限公司

    分类号: TM914.41

    页码: 134-135

    总页数: 2

    文件大小: 2040K

    下载量: 62

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    本文来源: https://www.lunwen66.cn/article/4abba7326dd574b71294e7f0.html