无限长双曲柱面带电导体的场分布

论文摘要

静电场问题最终归结于求解拉普拉斯方程,但由于具体问题的边界条件的复杂性,给求解带来了困难。本文引进椭圆柱面坐标,推导出了无限长带电体为用理想导体薄片制成的双曲柱面场分布的解析式。在此基础上计算出了面电荷密度、构成电容器时的电容量、几种特殊情况的场分布,通过与无限大的平板电容器情形比较验证了其正确性。本文可以给大家提供一点启发:根据不同的边界面,选择合适的坐标系,容易求得拉普拉斯方程解,甚至貌似不可求解的问题,通过坐标系变换也能求得解析式子。

论文目录

1 无限长双曲柱面带电导体的场分布

2 双曲柱面导体上的电荷分布

3 若有A、B两个双曲柱面导体薄片组成电容器, 计算电容

4 带电双曲面导体退化成两半无限大平面

5 带电双曲面导体退化成互相垂直的两无限大平面

文章来源

类型: 期刊论文

作者: 张拴柱

关键词: 电场,椭圆柱面坐标,双曲柱面,电容器

来源: 物理与工程 2019年03期

年度: 2019

分类: 基础科学

专业: 物理学

单位: 长治学院电子信息与物理系

基金: 校级“电动力学”优秀课程项目(2016012)

分类号: O441

页码: 117-121

总页数: 5

文件大小: 143K

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无限长双曲柱面带电导体的场分布

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