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Fe离子注入ITO薄膜的光电磁性质研究

论文摘要

ITO薄膜是一类被广泛应用的透明导电氧化物薄膜材料,也是稀磁半导体材料的候选之一。用MEVVA源在ITO薄膜中注入Fe离子,样品经快速热退火处理后,GAXRD分析注入的Fe离子掺入进了ITO晶格中,样品中没有发现Fe纳米团簇及氧化物等杂质相,但由于离子轰击,样品的结晶性变差,光透射率降低; Fe离子注入后,随着氧空位浓度降低,以及杂质散射增强,样品的电学性能降低,但由于Fe离子间通过氧空位形成了Fe-VO-Fe铁磁耦合对,促进了样品室温铁磁性的增强。

论文目录

  • 0 引言
  • 1 实验与测试
  • 2 结果与讨论
  •   2.1 结构与成分分析
  •   2.2 光学性质分析
  •   2.3 PL发射谱分析
  •   2.4 电学性质分析
  •   2.5 磁性质分析
  • 3 结论

    • 文章来源

    类型: 期刊论文

    作者: 王佳伟,罗凤凤

    关键词: 薄膜,离子注入,室温铁磁性

    来源: 江西科学 2019年01期

    年度: 2019

    分类: 基础科学,工程科技Ⅰ辑,工程科技Ⅱ辑

    专业: 材料科学,工业通用技术及设备

    单位: 江西省科学院应用物理研究所

    基金: 江西省重点研发计划项目(20181BBH80006),江西省自然科学基金项目(20161BAB211030)

    分类号: TB383.2

    DOI: 10.13990/j.issn1001-3679.2019.01.003

    页码: 17-20+25

    总页数: 5

    文件大小: 213K

    下载量: 79

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    本文来源: https://www.lunwen66.cn/article/6ada6f75efc37da4d2d8c8d9.html