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掺锡In2O3薄膜的晶粒生长及其微观结构性质研究

论文摘要

以氧化锡（SnO2）掺杂的氧化铟（In2O3）陶瓷靶作为溅射源材料,利用射频磁控溅射工艺在普通玻璃基底上沉积了掺锡In2O3（In2O3:Sn）薄膜样品,通过XPS、XRD和SEM等表征手段,研究了基底温度对薄膜晶粒生长和微观结构的影响.结果表明,所有In2O3:Sn样品均为多晶薄膜并具有体心立方铁锰矿晶体结构,基底温度对晶粒生长特性和微观结构性能具有明显的影响.基底温度升高时,薄膜沿（222）晶面的织构系数和平均晶粒尺寸先增大后减小,而位错密度和晶格应变则呈现相反的变化趋势.当基底温度为250℃时,In2O3:Sn样品沿（222）晶面的织构系数最高、平均晶粒尺寸最大、位错密度最小、晶格应变最低,薄膜具有最佳的（222）晶面择优取向生长特性和微观结构性能.

论文目录

  • 1 实验部分
  • 2 结果与讨论
  • 3 结语

    • 文章来源

    类型: 期刊论文

    作者: 钟志有,朱雅,陆轴

    关键词: 掺锡,薄膜,微观结构性质

    来源: 中南民族大学学报(自然科学版) 2019年02期

    年度: 2019

    分类: 基础科学,工程科技Ⅰ辑,工程科技Ⅱ辑

    专业: 化学,材料科学,工业通用技术及设备

    单位: 中南民族大学电子信息工程学院,中南民族大学智能无线通信湖北省重点实验室

    基金: 湖北省自然科学基金资助项目(2011CDB418),中南民族大学研究生学术创新基金后期资助项目(2018hqzz023)

    分类号: TB383.2;O782

    页码: 238-244

    总页数: 7

    文件大小: 1760K

    下载量: 54

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    本文来源: https://www.lunwen66.cn/article/725527a4f1e5ff26db557d40.html