近年来,碳化硅（SiC）金属-氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）在电力电子领域的应用日益成熟。由于其具有损耗低、导通电阻小、开关速度快、频率高等优点,因此,当其应用在车载单相逆变器中时,可以通过提高开关频率来有效地减小磁性元件的体积,从而提高逆变器的功率密度,减轻重量。但随着开关频率的提高,逆变器的开关损耗也随之增加,因此SiC MOSFET单相逆变器的损耗分析在设计过程中至关重要。对车载SiC单相逆变器在单极性正弦脉宽调制（SPWM）下的开关器件损耗进行详细分析;在PLECS仿真软件中搭建SiC MOSFET单相逆变器的电路模型和器件损耗模型;最后搭建SiC MOSFET单相逆变器的实验平台,测试开关器件的损耗,验证损耗理论计算的正确性及损耗模型的有效性。
类型: 期刊论文
作者: 刘博如
关键词: 单相逆变器,损耗模型
来源: 电力电子技术 2019年08期
年度: 2019
分类: 工程科技Ⅱ辑
专业: 电力工业
单位: 北京纵横机电科技有限公司
分类号: TM464
页码: 118-120
总页数: 3
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本文来源: https://www.lunwen66.cn/article/7eb8ab2a7c6f725b5b344bd0.html