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二维GeSe纳米片五族和七族原子掺杂的受主和施主杂质态（英文）

论文摘要

采用第一性原理的计算方法研究GeSe纳米片结构掺杂Ⅴ和Ⅶ族元素对其电子结构、形成能和跃迁能级的影响.结果表明:无论是掺杂Ⅴ族还是Ⅶ族元素,体系的形成能均随杂质半径的增加而增加.Ⅴ族元素掺杂体系的跃迁能级随杂质原子半径的增加而降低,而Ⅶ元素掺杂的体系却随杂质原子半径的增加而增加.其中,F、Cl、Br和I的掺杂为n型施主浅能级杂质,而N、P和As掺杂为p型受体深能级杂质.为相关的实验研究提供了理论参考.

论文目录

  • 0 Introduction
  • 1 Computational methods
  • 2 Results and discussions
  •   2.1 Structural parameters and electronic structures of pristine and doped GeSe monolayer
  •   2.2 Formation energy of doped GeSe monolayer
  • 3 Conclusions

    • 文章来源

    类型: 期刊论文

    作者: 熊宗刚,杜娟,张现周

    关键词: 单层,杂质态,第一性原理计算

    来源: 计算物理 2019年06期

    年度: 2019

    分类: 基础科学,工程科技Ⅰ辑

    专业: 材料科学

    单位: 河南师范大学物理与材料科学学院

    基金: supported by The High Performance Computing Center of Henan Normal University

    分类号: TB383.1

    DOI: 10.19596/j.cnki.1001-246x.7961

    页码: 733-741

    总页数: 9

    文件大小: 413K

    下载量: 60

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    本文来源: https://www.lunwen66.cn/article/9f4cbcee7bc06c8a1fad2791.html