为了改善负载跳变对低压差线性稳压器（LDO）的影响,该文提出一种用于无片外电容LDO（CL-LDO）的新型快速响应技术。通过增加一条额外的快速通路,实现CL-LDO的快速瞬态响应,并且能够减小LDO输出过冲和下冲的幅度。该文电路基于0.18μm CMOS工艺设计实现,面积为0.00529 mm2。流片测试结果表明,当输入电压范围为1.5～2.5 V时,输出电压为1.194 V;当负载电流以1μs的上升时间和下降时间在100μA～10 mA之间变化时,CL-LDO的过冲恢复时间为489.537 ns,下冲恢复为960.918 ns;相比未采用该技术的传统CLLDO,响应速度能够提高7.41倍,输出过冲和下冲的电压幅值能够分别下降35.3%和78.1%。
类型: 期刊论文
作者: 佟星元,李茂,董嗣万
关键词: 低压差稳压器,无片外电容,快速瞬态响应,面积小
来源: 电子与信息学报 2019年11期
年度: 2019
分类: 信息科技,工程科技Ⅱ辑
专业: 电力工业
单位: 西安邮电大学电子工程学院
基金: 国家自然科学基金(61674122,61804124),陕西省创新人才推进计划(2017KJXX-46),陕西省高层次人才特殊支持计划(2018-36)~~
分类号: TM44
页码: 2592-2598
总页数: 7
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本文来源: https://www.lunwen66.cn/article/a0306dc305c61255b4f01c67.html