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厚度对钇掺杂氧化铪薄膜性质的影响

论文摘要

通过中频磁控溅射在p型（100）硅基片上沉积了不同厚度的Y掺杂Hf O2（Y∶HfO2）薄膜。利用X射线光电子能谱（XPS）分析薄膜的Y掺杂浓度及元素结合状态。掠入射X射线衍射（GIXRD）分析表明,3.25 mol.%的Y掺杂HfO2薄膜相结构为立方相。利用X射线反射率（XRR）测量得到了不同溅射时间的薄膜厚度、密度和粗糙度。电性能测试表明,Y掺杂HfO2薄膜基电容器介电常数随膜厚的增大而增大。基于界面层分压原理,详细讨论了SiO2界面层对薄膜介电特性的影响。

论文目录

  • 0 引言
  • 1 实验
  •   1.1 薄膜的制备
  •   1.2 薄膜的分析
  • 2 实验结果与讨论
  •   2.1 XPS分析
  •   2.2 GIXRD及XRR分析
  •   2.3 电学性能分析
  • 3 结论

    • 文章来源

    类型: 期刊论文

    作者: 赵鹏,周大雨,孙纳纳

    关键词: 薄膜,厚度,成分,相结构,电性能

    来源: 中国陶瓷 2019年08期

    年度: 2019

    分类: 工程科技Ⅰ辑,工程科技Ⅱ辑

    专业: 材料科学,工业通用技术及设备

    单位: 大连理工大学材料科学与工程学院三束材料改性教育部重点实验室

    基金: 国家自然科学基金(51672032)

    分类号: TB383.2

    DOI: 10.16521/j.cnki.issn.1001-9642.2019.08.011

    页码: 61-65

    总页数: 5

    文件大小: 2160K

    下载量: 74

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    本文来源: https://www.lunwen66.cn/article/c0c2044e92e11a0a6e0937fc.html