二维过渡金属卤化物(如CrI3)以其独特的电子结构和磁性等性质,受到了越来越多的关注.本征的二维过渡金属卤化物通常具有高对称性的结构(如D3d对称性),导致铁电性质的缺失.为了在过渡金属卤化物中诱导多铁性,该文采用密度泛函理论系统地研究了金属原子Li或Al掺杂对二维过渡金属三卤化物RhX3、IrX3(X=Cl、Br)材料结构稳定性、电子性质以及铁磁铁电性质的影响.计算结果表明,Li或Al掺杂会引起体系的Jahn-Teller畸变,降低体系的结构对称性,从而产生面内的极化.同时,金属掺杂引入的电子局域在过渡金属的d轨道上,形成局域磁矩,使得体系同时具有了铁电性和磁性.这一发现为实现二维的铁磁铁电性材料提供了新的研究思路,将对自旋电子学的研究发展产生重要意义.
类型: 期刊论文
作者: 陈山豹,孙华胜,黄呈熙,阚二军
关键词: 铁磁,铁电,过渡金属卤化物,二维材料,密度泛函理论
来源: 湘潭大学学报(自然科学版) 2019年05期
年度: 2019
分类: 基础科学,工程科技Ⅰ辑
专业: 材料科学
单位: 南京理工大学理学院应用物理系
基金: 国家自然科学基金项目(51522206,11774173,51790492),江苏省研究生科研与实践创新计划项目(KYCX18_0407)
分类号: TB34
DOI: 10.13715/j.cnki.nsjxu.2019.05.007
页码: 63-70
总页数: 8
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本文来源: https://www.lunwen66.cn/article/cf9c88aa2c8f9d01cf659360.html