研究了退火温度对原子层沉积(ALD)生长的铝掺杂氧化锌(AZO)薄膜光电性能的影响,结果发现:AZO薄膜在600℃退火后,X射线衍射峰的半峰全宽从未退火时的0.609°减小到0.454°,晶体质量得到提升;600℃退火后,薄膜的表面粗糙度从未退火时的0.841 nm降低至0.738 nm;400℃退火后,薄膜的载流子浓度和迁移率均达到最大值,分别为1.9×1019cm-3和4.2 cm2·V-1·s-1,之后随着退火温度进一步升高,载流子浓度和迁移率降低;退火温度由300℃升高到600℃过程中薄膜的吸收边先蓝移后红移。
类型: 期刊论文
作者: 郭德双,陈子男,王登魁,唐吉龙,方铉,房丹,林逢源,王新伟,魏志鹏
关键词: 材料,光学性能,电学性能,铝掺杂氧化锌薄膜,退火,原子层沉积技术
来源: 中国激光 2019年04期
年度: 2019
分类: 基础科学,工程科技Ⅰ辑,工程科技Ⅱ辑
专业: 无机化工,材料科学,工业通用技术及设备
单位: 长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,长春理工大学材料科学与工程学院
基金: 国家重点研发计划(2017YFB0402800),国家自然科学基金(61674021,11674038,61704011),吉林省科技发展计划(20160519007JH,20160520117JH,20160204074GX,20170520118JH,20160203015GX),长春理工大学科技创新基金(XJJLG-2016-11,XJJLG-2016-14)
分类号: TQ132.41;TB383.2
页码: 132-136
总页数: 5
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本文来源: https://www.lunwen66.cn/article/ec16214b09651a3c818228b3.html