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β-Sn与4H-SiC界面性质的第一性原理计算

论文摘要

为研究金属钎料与SiC陶瓷的界面结合方式,采用基于密度泛函理论的第一性原理方法,对Sn（001）/4H-SiC（0001）界面进行几何优化,得到优化后界面体系的结构,从分离功表征结合强度以及电子结构布居分析的角度解释界面结合本质和键合方式。结果表明:SiC陶瓷中C封端界面的分离功高于Si封端界面的分离功,Sn原子与C原子间形成的离子共价键在界面结合的成键中占有主要的地位。

论文目录

  • 1 计算方法与模型
  • 2 结果与分析
  •   2.1 泛函的选定
  •   2.2 真空层及界面间距的确定
  •   2.3 电子结构分析
  • 3 结论

    • 文章来源

    类型: 期刊论文

    作者: 马志鹏,李昊宣,张茗瑄,许志武

    关键词: 陶瓷,基钎料,界面,电子结构,第一性原理

    来源: 兵器材料科学与工程 2019年03期

    年度: 2019

    分类: 工程科技Ⅰ辑,工程科技Ⅱ辑

    专业: 无机化工

    单位: 东北石油大学材料科学与工程系,哈尔滨工业大学先进焊接与连接国家重点实验室

    基金: 国家自然科学基金(51674090)

    分类号: TQ174.1

    DOI: 10.14024/j.cnki.1004-244x.20190402.002

    页码: 17-20

    总页数: 4

    文件大小: 1179K

    下载量: 233

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    本文来源: https://www.lunwen66.cn/article/f90cc4d01af661f7cb9a2203.html