esd测试论文

高压SOI LDMOS击穿机理分析及器件制备
梁涛[1]2016年在《行扫描驱动高压SOI横向功率器件与电路特性研究》文中认为SOI(SiliconOnInsulator,绝缘体上硅)高压集成电路具有良好的隔离性、高速度、高集成度、低功耗、抗闩锁和抗辐射等特点,广泛用于汽车电子、医疗电子、家用电器、工业控制、航空航天和照明应用等领域,SOI技术...