赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)

数字衰减器论文-李富强,赵子润,魏洪涛
导读:本文包含了数字衰减器论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:单片微波集成电路(MMIC),GaAs,赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT),增强,耗尽(E,D)...