氨热法论文

氮化镓单晶生长研究进展
论文摘要氮化镓(GaN)作为第三代宽禁带半导体核心材料之一,具有高击穿场强、高饱和电子漂移速率、抗辐射能力强和良好的化学稳定性等优良特性,是制作宽波谱、高功率、高效率光电子、电...
GaN体单晶的氨热生长及应力调控
论文摘要采用氨热法在碱性条件下生长了GaN体单晶,SEM照片显示晶体表面有大量裂纹。用拉曼光谱测量GaN晶体的E2（high）声子拉曼峰,结果表明晶体内部应力波动较大。通过减小...