![混合氧化物掺杂电致变色]()
一、混合氧化物掺杂电致变色（论文文献综述）王艺[1]（2021）在《V2O5薄膜的改性与光致变色行为研究》文中指出光致变色材料是在光的作用下,可从一种状态变到另一种状态,而使自...
![通过逐步注入改善 SOI-SIMNI 薄膜的电学性能]()
一、用分步注入法改善SOI-SIMNI薄膜材料的电学性能（论文文献综述）刘思佳[1]（2017）在《多个硫化物靶溅射制备铜锌锡硫（硒）（CZTS（Se））薄膜及性能研究》文中进...
![有机/无机多层复合膜的制备及光电性能研究]()
何智兵[1]2004年在《有机/无机多层复合膜的制备及光电性能研究》文中研究表明本文介绍了有机、无机及有机／无机复合光电材料的研究进展，对其结构、光电性能、制备方法及应用背景作了详细的总结、分析和讨论。重点综述了有机／无机复合膜的光电性能研究进展、应用背景及制备方法。酞菁铜(CuPc)是典型的有机光...
![掺杂非晶硅基薄膜的结构及发光特性研究]()
李群[1]2004年在《掺杂非晶硅基薄膜的结构及发光特性研究》文中提出本论文采用双离子束溅射沉积方法制备了Si-SiOx、SiO_x：C、SiOxNy复合薄膜，TEM及XRD的测试表明叁种薄膜均为非晶结构，通过FTIR和XPS进一步分析了薄膜的结构，了解所掺杂质在薄膜中的基本状态以及结合情况。光致发...
![MW-ECR CVD制备氢化非晶硅薄膜之光电特性研究]()
刘毅[1]2004年在《MWECRCVD制备氢化非晶硅薄膜的微结构研究》文中指出非晶硅（a-Si）具有特殊的光学、电学性质，并且呈现出了巨大的应用前景。但是由于它含有大量的缺陷态（主要缺陷态是悬挂键），使其在实际应用方面受到了约束。对于氢化非晶硅（a-Si:H），由于氢的介入使得氢化非晶硅的缺陷密度...
![超声雾化热解法制备ZnO薄膜结构及其性能研究]()
赵海玉[1]2017年在《高频超声静电喷雾法制备AG/AG掺ZNO导电薄膜》文中认为众所周知银有着最低的电阻率(超导除外)和在可见光区的高反射性,以及良好的可掺杂性,在光电子器件与近年来发展的智能可穿戴设备中有着广泛的应用。磁控溅射法是银薄膜制备常用的方法,然而此方法成本较高,制备过程中会不可避免的...
![CVD制备碳基材料及其特性研究]()
王国菊[1]2004年在《CVD制备碳基材料及其特性研究》文中研究表明在本研究工作中，用热丝化学气相沉积（HFCVD或Cat-CVD）方法，在温度为300oC-500oC的单晶Si(100)衬底上，以CH4、SiH4和H2为反应气体制备了β-SiC薄膜，研究了流量、偏压、衬底温度等沉积参量对β-Si...
![多孔硅基有机复合体系光电特性研究]()
赵毅[1]2003年在《多孔硅与有机材料复合光电特性研究》文中认为在硅基上实现场致发光是实现全硅集成电路的基础，然而由于硅的间接能带结构所带来的在光致发光(PL)和电致发光(EL)方面十分低下的量子效率(＜10~(-4)‰)以及窄小的能带隙(1.1eV)所产生的近红外区域光发射，硅材料在光电器件方面...
![HAS制备HAN工艺研究]()
经德齐[1]2003年在《HAS制备HAN工艺研究》文中提出以水为反应介质，研究了利用中和法制备HAN的工艺过程。通过比较，选用HAS、NaOH、硝酸为主要原料，从理论上证明了该工艺的可行性，根据理论设计了实验方法。主体工艺过程分为两步，首先是HAS和NaOH反应，反应液经过滤、减压蒸馏制得纯净的中...
![纳米SiO2薄膜的制备及性能研究]()
宋娜[1]2016年在《二氧化钛复合薄膜的微结构及光催化性能研究》文中研究指明二氧化钛具有无毒,化学性质稳定,催化效率高,廉价易得等一系列优良性能,因而被广泛地应用于光催化、仿生医学、染料敏化太阳能电池等众多领域。光催化氧化是在能量较高的紫外光照射下,材料表面能够产生具有氧化还原能力的光生电子-空穴...
