![氮化作用论文_李政,顾贵洲,胡绍争,邹熊,武光]()
导读:本文包含了氮化作用论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:氮化,荷载,氮化硅,作用,光催化,吸收光谱,屈曲。氮化作用论文文献综述李政,顾贵洲,胡...
![氮化硅论文_吴玉厚,王浩,李颂华,孙健,王贺]()
导读:本文包含了氮化硅论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:氮化硅,磨削,陶瓷,光学,温度,性能,阈值。氮化硅论文文献综述吴玉厚,王浩,李颂华,孙健...
![流态化合成氮化硅的鼓泡床冷模试验与CFD模拟研究]()
陈俊,叶旭初,宋涛,钱海燕[1]2005年在《流态化合成氮化硅的鼓泡床冷模试验与CFD模拟》文中提出对流态化合成氮化硅的鼓泡床进行了冷态试验研究,结果表明:优选出的流态化分布板,在表观气速为011~013m/s时,可以形成稳定的鼓泡床。并运用CFD技术,模拟研究了床内的空气相、颗粒相的组分浓度分布规...
![基于PECVD工艺的硅基光致和电致发光器件研制]()
姚永昭[1]2004年在《基于PECVD工艺的硅基光致和电致发光器件研制》文中进行了进一步梳理为实现超大规模集成电路和微机电系统(MEMS)中的光电集成，硅基发光器件的实现至关重要。由于硅是一种间接禁带半导体，使硅基器件高效发光已经成为一个很大的难题，是否能实现与现有IC工艺兼容、低成本、可实用的硅...
![ICP等离子体增强化学气相沉积制备纳米粉体氮化硅特性研究]()
赵文锋[1]2004年在《ICP等离子体增强化学气相沉积制备纳米粉体氮化硅特性研究》文中研究说明本论文主要研究了感应耦合等离子体增强化学气相沉积(ICPECVD)技术和反应主要由等离子体参数的分布特性以及Si_3N_4粉体材料的制备工艺方法，寻求合适的工艺参数，制备纳米Si_3N_4粉体材料，以及利...
