氮化镓论文

基于氮化镓场效应晶体管的高性能48 V总线电源（英文）
论文摘要48V电源架构在数据中心电源系统中的推广激发了人们对具有更高效率和功率密度的先进电源解决方案的极大兴趣。具有超低寄生电容和导通电阻的氮化镓场效应晶体管GaNFET（ga...
基于第三代半导体氮化镓器件的应用教学改革
论文摘要如今,在半导体材料中,以氮化镓为代表的第三代半导体材料及器件的开发是新兴半导体产业的核心和基础。因此,让学生更好地学习与理解基于氮化镓材料应用教学课程对于推动电力电子产...
第三代半导体器件专利分析
论文摘要以碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带半导体材料具有宽半导体带隙、高电子饱和漂移速度、高热导率、高击穿强度等特点,特别适合制造工作于高频率、高速度、高温的半导体器件和短波长光电...