氮空位缺陷论文

基于HfN_x∶Zn薄膜的负微分阻变存储器
论文摘要基于HfNx∶Zn薄膜材料制备了阻变式随机存储器,获得了良好的阻变可靠性,并观察到负微分电阻现象.Au/HfNx∶Zn/Pt器件表现出快速的擦写速度（<150ns...