![H_mTiSi_n(m=1～2;n=2～8)团簇结构、电子性质和红外光谱的密度泛函理论研究]()
论文摘要近些年,由于硅半导体材料在微电子工业中的潜在应用,其理论和实验研究备受人们广泛关注。尤其是过渡金属掺杂的硅团簇材料在物理化学性质方面表现了极好的稳定性。这些主要归因于过...
![钼（或铬,钒）原子替位掺杂对双相γ-TiAl/α2-Ti3Al界面的能量、延性和电子性质的影响]()
论文摘要采用基于密度泛函理论计算研究了钼（或铬,钒）原子替位掺杂双相γ-TiAl/α2-Ti3Al界面体系的平均形成能、断裂功、电子结构等。结果显示:各个掺杂体系的总能量和平均...
![M-（Sm, Pr, Ga）掺杂TiO2带隙及电子结构的第一原理研究（英文）]()
论文摘要采用密度泛函理论对M-（Sm、Pr、Ga）掺杂锐钛矿型TiO2能带和电子性质进行了系统的理论研究.计算结果表明,通过Sm和Pr的掺杂可以降低TiO2的带隙进而使其产生吸...
![应力调控下二维硒化锗五种同分异构体的第一性原理研究]()
论文摘要采用第一性原理计算方法,研究了二维单层硒化锗（GeSe）的5种同分异构体结构的稳定性和在应力调控下的电子性质变化规律.计算结果表明:5种同分异构体结构都具有热力学稳定性...
![锂改性点缺陷石墨烯储氢性能的第一性原理研究]()
论文摘要本研究采用基于密度泛函理论的第一性原理方法计算了两种石墨烯点缺陷处原子的分波态密度（PDOS）,能带结构和差分电荷密度等,研究了锂掺杂对两种本征石墨烯缺陷C-Bridg...
![CdO低密度异构相的第一性原理研究]()
论文摘要由于实验水平的逐渐提高,因此,选取幻数团簇作为构建基元并采用“自下而上”的组装方法去设计拥有特殊性能的团簇组装材料已日渐变为可能。与普通材料相比,团簇组装材料不仅能体现...
![XB（X=As，Sb，Bi）及h-MgH2结构与性能调控研究]()
论文摘要二维材料因其优异的电子、光学以及拓扑性质,在传感器、微电子等领域具有很好的应用前景。一.我们采用基于密度泛函理论的第一性原理方法研究了XB（X为As、Sb、Bi）以及功...
![Al4Si3晶体结构的全局优化及稳定性]()
论文摘要铝硅合金具有质轻、耐磨等优点,是重要的发动机缸体材料.铝硅合金主要以共晶结构存在,对铝硅晶体结构的研究可以帮助我们了解其成键性质及微结构.采用进化算法结合密度泛函理论研...
![压力作用下Cr2AC相（A=Si、Ge）的第一性原理研究]()
论文摘要采用基于密度泛函理论的第一性原理方法,研究了高压下Cr2AC相（A=Si、Ge）的力学性能和电子结构特点。结果表明:0～80GPa范围内,Cr2SiC和Cr2GeC的晶...
![团簇Co3NiB2的成键分析与电子性质]()
论文摘要采用密度泛函理论方法,对团簇Co3NiB2在B3LYP/Lan12dz水平下优化后得到的12种稳定构型的成键和电子性质两方面进行分析,得到以下结论:团簇Co3NiB2优...
