多量子阱论文

Cu/SiO2逐层沉积增强无杂质空位诱导InGaAsP/InGaAsP量子阱混杂
论文摘要研究了Cu/SiO2逐层沉积增强的无杂质空位诱导InGaAsP/InGaAsP多量子阱混杂（QWI）行为。在多量子阱（MQW）外延片表面,采用等离子体增强的化学气相沉积...
δ-掺杂Be受主GaAs/AlAs多量子阱的空穴共振隧穿（英文）
论文摘要三个具有不同量子阱宽度的GaAs/AlAs多量子阱结构样品通过分子束外延生长设备生长在半绝缘的（100）p-型GaAs衬底上,并且在量子阱层结构的生长过程中,在GaAs...