多位翻转论文

粒子入射条件对28 nm SRAM单元单粒子电荷共享效应影响的TCAD仿真研究
论文摘要利用器件仿真工具TCAD,建立28nm体硅工艺器件的三维模型,研究了粒子入射条件和器件间距等因素对28nm体硅工艺器件单粒子效应电荷共享的影响规律。结果表明,粒子LET...