过刻论文

  • 浅谈晶硅电池刻蚀去PSG工序过刻情况

    浅谈晶硅电池刻蚀去PSG工序过刻情况

    论文摘要刻蚀及去PSG可去除扩散后在硅片背面及周围形成的P-N结以及硅片表面的磷硅玻璃,有效地降低电池的并联电阻,提升电池转化效率。湿法刻蚀过程中过刻是一种常见的异常现象,会造...