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二辛基苯并噻吩并论文
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ZnO/C8-BTBT异质结的载流子注入特性研究
论文摘要量子点电致发光器件(QLED)中的发光层由钙钛矿量子点构成。由于量子点较深的价带能级,空穴载流子注入效率相对较低,往往成为制约器件性能的重要因素。采用p-型有机半导体,...
倒置QLED器件中氧化锌电子传输层的镁掺杂效应
论文摘要基于2,7-二辛基[1]苯并噻吩并[3,2-b]苯并噻吩(C8-BTBT)与无机钙钛矿CsPbBr3量子点构成复合发光层,采用倒置QLED器件结构(ITO/ZnO/EM...