非晶氧化物半导体论文

非晶CuNiSnO薄膜的生长与光电性能
论文摘要采用脉冲激光沉积（PLD）法制备出一种新型的p型非晶氧化物-半导体非晶CuNiSnO（CNTO）。CNTO薄膜分别在室温（RT）与300℃的生长条件下获得,对其结构、光...