富硅氮化硅薄膜论文

氮气流量对非晶SiNx到含有Si3N4晶粒的富硅-SiNx薄膜转变的影响
论文摘要基于等离子体增强化学气相沉积（PECVD）技术,应用高纯硅烷和氮气为反应气体,通过设置氮气流量分别为100sccm、200sccm、300sccm和400sccm四个梯...