![喷雾热解法制备YBO_3∶Eu球形发光粉]()
一、喷雾热解法制备YBO_3∶Eu球形发光粉（论文文献综述）张永飞[1]（2021）在《YxGd（1-x）BO3:Eu3+发光材料的制备与性能研究》文中进行了进一步梳理稀土硼酸...
![应变对单层硒化钨能带结构的影响研究]()
论文摘要通过拉曼光谱和光致发光光谱分别揭示了单层硒化钨在施加单轴拉伸应变情况下的带隙能量变化。应变可以诱导单层硒化钨由直接带隙半导体转变为间接带隙半导体,并且在整个应变范围内,...
![SiO2基底Nb原位掺杂MoS2纳米薄膜的制备及场效应]()
论文摘要以氧化钼（MoO3）、硫（S）和氯化铌（NbCl5）作为前驱体,利用一锅两步化学气相沉积法,在SiO2基底上大面积地生长连续性好、均匀负载的Nb-MoS2薄膜结构。通过...
![利用大周期光子晶体结构增强InAs/GaAs量子点的激发态发光（英文）]()
论文摘要在该研究中,通过激光全息和湿法腐蚀的方法在InAs/GaAs量子点材料上制备光子晶体,研究了由激光二极管激发制备了光子晶体的InAs/GaAs量子点材料的光致发光光谱....
![以Pt为催化剂生长SiC微纳米材料]()
论文摘要利用热蒸发法以Pt为催化剂制备了SiC微纳米材料,并利用XRD、SEM、Raman、PL光谱等技术手段分析表征样品。发现SiC纳米材料的生长温度约为1145℃,制备的S...
![宁波晶钻公司CVD合成钻石的宝石学特征及其与国外Ⅱa公司的对比研究]()
论文摘要近年来,国内CVD合成钻石迅速发展,生产技术水平日新月异。对宁波晶钻公司2017年生产的一批CVD合成钻石进行全面测试,并与市面上最常见的新加坡Ⅱa公司所生产的CVD合...
![Ⅱ-Ⅵ族发光纳米粒子的合成，表征及应用]()
孙远光[1]2009年在《核/壳结构ZnS:Cu纳米粒子的制备及发光性质的研究》文中提出ZnS是一种性能优越的Ⅱ-Ⅵ族发光材料,禁带宽度为3.66eV。属于直接带隙半导体,在荧屏显示领域已有广泛应用。近年来,随着纳米材料研究的深入,国内外对ZnS纳米发光材料已进行了多方面的研究,当ZnS中掺入稀土离...
![梯度掺杂有机电致发光器件研究]()
高文宝[1]2003年在《梯度掺杂有机电致发光器件研究》文中研究表明1、提出利用梯度掺杂的方法提高器件发光效率。考虑到提高器件的发光效率,就需要实现载流子从正负电极处的平衡注入,使载流子或所形成的激子尽量限制在有源区(掺杂区)内,同时也需要考虑母体材料与客体材料之间是否有良好的能量转移或载流子转移效...
![铕稀土配合物的合成及其荧光性质的研究]()
李伟作[1]2013年在《5,6-二甲氧基叁氟乙酰基1-茚酮稀土配合物发光性质研究》文中认为β-二酮稀土配合物是1,3-二羰基化合物，一直以来在光电通讯中的放大器，超分子，生物探针和传感器等方面有很广泛的应用。本文设计了一个新颖的β-二酮配体-5,6-二甲氧基叁氟乙酰基1-茚酮(5,6-DTFI)，...
