化学机械抛光论文

化学机械抛光液的研究进展
论文摘要化学机械抛光（CMP）技术是集成电路制造中获得全局平坦化的一种重要手段,化学机械抛光液是影响抛光质量和抛光效率的关键因素之一,而抛光液中的磨粒和氧化剂决定了抛光液的各项...
LuYAP∶Ce闪烁晶体阵列研究
论文摘要铝酸钇镥(LuYAP)∶Ce晶体具有衰减时间短,密度大,光产额高及不潮解等优点。采用该晶体制作的闪烁晶体阵列,能快速获得皮秒级正电子湮灭的精确信息。该文报道了一种LuY...
单晶硅同质互抛实验研究
论文摘要以材料的去除率和表面粗糙度为评价指标设计对比实验,验证了硬脆材料互抛抛光的可行性,得到了抛光盘转速对硬脆材料互抛的影响趋势和大小。实验结果表明:当抛光压力为48265P...
混合磨粒CMP抛光液的制备及抛光效果研究
论文摘要为提高CMP的抛光效果,配制了一种混合磨粒CMP抛光液,用于对不锈钢的抛光。实验结果表明:硅溶胶和铝溶胶配比为4∶1,使用十二烷基硫酸钠为阴离子表面活性剂,调节pH值为...