晶格调控论文

六角氮化硼（h-BN）对单层硒化铟（InSe）的调制效应及这一新结构的电子性质
论文摘要采用基于密度泛函理论的第一性原理计算和分析了三种InSe/h-BN异质结的结构和电子性质.研究发现InSe/h-BN异质结具有间接带隙特点,并且价带顶和导带底的贡献均来...