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65nm工艺SRAM低能质子单粒子翻转错误率预估
论文摘要质子单粒子效应是纳米工艺集成电路空间应用面临的主要辐射问题之一。本文开展了一款商业级65nm工艺4M×18bit随机静态存储器(SRAM)质子单粒子翻转实验研究。针对地...
空间电子辐射环境中绝缘介质电荷沉积特性及陷阱参数研究综述
论文摘要空间电子辐射环境中绝缘介质充放电特性与介质表面电荷交换过程或内部电荷迁移过程密切相关.介质表面/内部电荷运动很大程度上取决于材料的微观特性,空间电荷与陷阱是反映绝缘介质...