• ZnO/Zn1-xMgxO非对称双量子阱中激子光吸收

    ZnO/Zn1-xMgxO非对称双量子阱中激子光吸收

    论文摘要对于ZnO/Zn1-xMgxO非对称双量子阱(ADQW),当Mg组分在0.37<x<0.62区间,三元混晶Zn1-xMgxO存在纤锌矿和闪锌矿两相.本文着重...
  • 表面等离子体激元局域发光增强效应研究

    表面等离子体激元局域发光增强效应研究

    论文摘要表面等离子体激元(Surfaceplasmons,SPs)是一种局域在金属表面的电磁波,具有局域场增强效应和高态密度。理解金属SPs局域特性对半导体发光结构自发辐射、内...
  • 杂质对半指数量子阱中弱耦合束缚极化子基态结合能的影响

    杂质对半指数量子阱中弱耦合束缚极化子基态结合能的影响

    论文摘要考虑GaAs非对称半指数势量子阱中心存在一个类氢杂质,采用线性组合算符和两次幺正变换方法,从理论上研究电子被限制在非对称半指数势的量子系统中弱耦合束缚极化子的性质.导出...
  • 分离式阴极光电化学检测致病菌的新方法研究

    分离式阴极光电化学检测致病菌的新方法研究

    论文摘要利用液相法合成了水溶性的巯基乙酸修饰的硒化铅(PbSe)量子点(QDs),并将其修饰至氧化铟锡(ITO)电极,制备了ITO/PbSe电极。Zn2+可与电极上修饰的PbS...
  • InGaN/GaN量子阱微腔中光子和激子的强相互作用研究

    InGaN/GaN量子阱微腔中光子和激子的强相互作用研究

    论文摘要InGaN/GaN量子阱具有较高的量子效率、较大的激子结合能、可调节的发光波长、较高的辐射复合速率等诸多优势,因此被广泛应用于激光二极管、发光二极管、激子极化激元LED...
  • 940nm垂直腔面发射激光器的设计及制备

    940nm垂直腔面发射激光器的设计及制备

    论文摘要利用PICS3D计算得到InGaAs/GaAsP应变补偿量子阱的增益特性,得到量子阱的各项参数,再通过传输矩阵理论和TFCalc膜系设计软件分别仿真出上下分布式布拉格反...
  • 高温稳定25 Gbit/s 850 nm垂直腔面发射激光器

    高温稳定25 Gbit/s 850 nm垂直腔面发射激光器

    论文摘要通过在N型分布布拉格反射镜(DBR)中采用高热导率AlAs材料,且增加AlAs层所占的厚度比例,在保持DBR反射率基本不变的情况下,大幅度增加了N型DBR的热导率,提高...
  • 基于Si/SiGe的空穴型共振隧穿二极管的研究

    基于Si/SiGe的空穴型共振隧穿二极管的研究

    熊晨荣[1]2004年在《基于Si/SiGe的空穴型共振隧穿二极管的研究》文中研究表明随着科学技术的发展,信息社会对电路集成度要求不断提高,促使人们寻找绕过晶体管尺寸极限的途径,纳电子学和单电子学在此背景中应运而生,居于半导体科学和工程研究前沿。隧穿二极管就是当前纳电子学中最负期望的纳米量子器件之一...
  • 高特征温度大功率应变量子阱半导体激光器设计研究

    高特征温度大功率应变量子阱半导体激光器设计研究

    王丹[1]2004年在《高特征温度大功率应变量子阱半导体激光器设计研究》文中提出高功率量子阱激光器是当今高功率激光器发展的重要方向之一,但是大功率量子阱半导体激光器在运转的过程中,来自有源区产生的热量使器件的温度升高,成为限制高功率半导体激光器发展的重要因素。随着功率的日益提高解决器件的散热问题是理...
  • 40GHz GaAs行波量子阱电光调制器的研究

    40GHz GaAs行波量子阱电光调制器的研究

    张胜洲[1]2016年在《毫米波单片集成混频器的设计及其小型化》文中提出由Edholm定律推断:在2020年,无线通信系统的数据传输速率将会达到10Gbps左右甚至更高,可以实现大容量、高速数据传输的毫米波无线通信系统成为研究热点。混频器是无线通信系统收发前端的关键电路模块之一,特别是对于100GH...
  • 半导体量子点分子的电子结构及其动力学性质

    半导体量子点分子的电子结构及其动力学性质

    刘承师[1]2003年在《半导体量子点分子的电子结构及其动力学性质》文中研究表明本文研究了与量子点分子实验和理论有关的两个重要问题:(1)半导体自组织量子点在量子阱(DWELL)中的电子能谱结构及光学性质,分析了结构参数和组分对它们的影响。(2)交变电场驱动下半导体量子点分子中载流子系统的动力学行为...