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MoO3/Si界面区钼掺杂非晶氧化硅层形成的第一性原理研究
论文摘要采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,通过模拟MoO3/Si界面反应,研究了MoOx薄膜沉积中原子、分子的吸附、扩散和成核过程,从原子尺度阐明了缓冲层钼掺杂非晶氧化...