强反型区论文

基于Boltzmann方程的纳米MOSFET高频噪声计算
论文摘要不同沟道长度的MOSFET器件的噪声机理是不同的,目前已探明工艺技术成熟的长沟道MOSFET的高频本征噪声机理为热噪声。但对于工艺技术有待进一步成熟的短沟道MOSFET...