浅沟槽隔离论文

超深亚微米SOI总剂量效应泄漏电流模型
论文摘要总剂量辐射效应会导致绝缘体上硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SOIMOSFET)器件的阈值电压漂移、泄漏电流增大等退化特性。浅沟槽隔离(STI)漏电是器件退化的主要因素...