• GaSb掺杂过渡金属(V,Cr,Mn)性质的第一性原理研究

    GaSb掺杂过渡金属(V,Cr,Mn)性质的第一性原理研究

    论文摘要随着对电子器件的各项要求越来越高,具有高自旋极化率的自旋电子学器件早已引起了人们的关注。自旋电子学与传统半导体电子学的根本区别在于,在一个固态材料的输运中除电荷外,电子...