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基于PECVD工艺的硅基光致和电致发光器件研制
姚永昭[1]2004年在《基于PECVD工艺的硅基光致和电致发光器件研制》文中进行了进一步梳理为实现超大规模集成电路和微机电系统(MEMS)中的光电集成，硅基发光器件的实现至关重要。由于硅是一种间接禁带半导体，使硅基器件高效发光已经成为一个很大的难题，是否能实现与现有IC工艺兼容、低成本、可实用的硅...