损耗模型论文

论文摘要近年来,碳化硅（SiC）金属-氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）在电力电子领域的应用日益成熟。由于其具有损耗低、导通电阻小、开关速度快、频率高等优点,因此,当其应...

论文摘要SiIGBT与SiCMOSFET并联组成的Si/SiC混合器件(HyS)因在功率变换器中提供了一种成本与性能的优化折衷而受到广泛关注。其中,SiCMOSFET特性直接影...