![金刚石-碳化硅超硬复合材料的冲击强度]()
论文摘要不同于延性介质,脆性介质的失效破坏严重制约着材料的强度.本文采用一种定量描述脆性介质力学性质的格点-弹簧模型,研究了金刚石-碳化硅超硬复合材料的冲击强度及其细观损伤机理...
![非平衡分子动力学法模拟计算SiC材料的热导率]()
论文摘要为了探究更高效的碳化硅（SiC）材料热导率的模拟方法,应用逆非平衡分子动力学（rNEMD）法及传统非平衡分子动力学（NEMD）法对β晶型SiC（β-SiC）材料的热导率...
![石墨烯及碳化硅增强铝基复合材料的冲击力学行为]()
论文摘要采用微机控制电子万能实验机和分离式霍普金森压杆（SHPB）对石墨烯增强的铝基复合材料和碳化硅增强的铝基复合材料进行准静态压缩实验和动态冲击实验,研究石墨烯增强铝基复合材...
![直接复合制备水泥窑用轻重复合硅莫砖研究]()
论文摘要为简化水泥窑用轻重复合硅莫砖的生产工艺,以高铝矾土、碳化硅、黏土为原料制备硅莫砖本体料,分别加入16%、22%和28%(w)的3～1mm轻质莫来石球替代同粒度的高铝矾土...
![红外吸收法测定SiC的探讨]()
论文摘要随着我国工业领域的持续发展,相关领域对SiC的需求量日益增大,基于此背景,本文对红外吸收法测定SiC进行探讨。该方法的大致步骤为:对SiC试样进行灼烧预处理→除去游离碳...
![利用等离子反应器从SiF4与CH4制备HF和SiC的探索研究]()
论文摘要研究了一个新型反应,即SiF4气体与CH4气体反应生成无水HF气体和SiC固体。该反应在最大能量为20eV的等离子反应器的固定床中进行,反应一段时间后,收集反应器壁上固...
![大破口失水事故工况下碳化硅惰性氧化模型研究]()
论文摘要与传统Zr包壳相比,SiC复合包壳具有更好的辐照稳定性、高温机械性能和抗氧化能力,可有效缓解事故进程,增加事故应对时间。在大破口失水事故工况下,SiC复合包壳会与低压高...
![液体磁性磨具固相颗粒表面改性及稳定性研究]()
论文摘要针对液体磁性磨具的沉降稳定性差,提出了采用羧基化多壁碳纳米管和聚二甲基二烯丙基氯化铵水溶液以及水溶性聚合物对磨具中的固相颗粒进行表面改性,提升液体磁性磨具的沉降稳定性。...
![PAS烧结SiC/h-BN复相陶瓷的韧性表征]()
论文摘要为探讨等离子活化烧结（PAS）工艺制备的SiC/h-BN复相陶瓷的失效特性,采用三种韧性表征方式(断裂韧性KIC、韧化比、R曲线)研究评判该类复相材料破坏的韧性依据,并...
![合成铸铁熔炼过程中增碳剂与碳化硅的最佳配伍]()
论文摘要合成铸铁熔炼,增碳剂与碳化硅除了调整碳量,并在铁液中生成大量弥散分布的非均质结晶核心,特别是碳化硅的成核效果和伴生功能,强化铁液的孕育预处理,对改善基本组织和石墨形态提...
![碳掺杂对碳化硅膜支撑体结构与性能的影响]()
论文摘要以200μm碳化硅为骨料,氧化锆为烧助剂,莫来石纤维为增强剂,碳粉为造孔剂,经过混合造粒后干压成型制得生坯,然后通过高温原位反应烧结获得大孔径、高孔隙率的SiC膜支撑体...
![碳化硅超声-电化学机械抛光试验研究]()
论文摘要为探究超硬脆碳化硅（SiC）材料的高效研抛方法,分别应用铸铁抛光盘、聚氨酯抛光盘、半固结磨粒抛光盘在自来水、KOH溶液、芬顿反应液3种研抛液中通过控制变量法对SiC进行...
![Al2O3和SiC微滤膜的疏水改性及其油固分离性能研究]()
论文摘要以正辛基三乙氧基硅烷和乙醇分别作为改性剂和溶剂,采用接枝聚合法对平均孔径为500nm的Al2O3膜和SiC膜进行疏水改性,考察了改性剂浓度、改性液温度和改性时间对膜表面...
![碳化硅颗粒表面吸附质对铝基复合材料制备及力学性能的影响]()
论文摘要选用粒度为60～80μm的国产磨料级碳化硅颗粒作为增强体、以无压浸渗法制备高体份SiC_p/Al复合材料,采用超声清洗工艺对比研究颗粒表面吸附质对颗粒浸渗性以及复合材料...
![4HN碳化硅外延片标准研究]()
论文摘要本文通过介绍碳化硅材料的发展趋势,提出了碳化硅外延片标准体系建立对产业发展的意义。标准中规定了SiC同质外延片使用的衬底参数规范、外延片测试表征方法及技术规范、包装运输...
![碳化硅功率器件封装关键技术的研究]()
论文摘要碳化硅功率器件是一种宽禁带器件,具有耐高温、耐高压以及导通电阻低等优点,而如何发挥碳化硅器件的相关优点,则是目前封装技术的不容忽视的问题。在文章研究中,阐述了碳化硅功率...
![SiC/SiO2界面态电荷对SiC MOSFET短路特性影响的研究]()
论文摘要碳化硅/二氧化硅（SiC/SiO2）界面态电荷数量的减少有利于降低碳化硅金属-氧化物-半导体场效应晶体管（SiCMOSFET）的通态电阻和开关损耗,然而沟道电流的提升会...
![熔融渗硅处理对PIP工艺制备的SiC_f/SiC复合材料性能影响]()
论文摘要采用前驱体浸渍裂解工艺及浸渍裂解-熔融渗硅复合工艺制备了SiCf/SiC复合材料。首先采用前驱体浸渍裂解工艺及两种不同界面层的纤维布制备复合材料,当界面层为BN/SiC...
![助剂用量对反应烧结碳化硅结构及力学性能的影响]()
论文摘要以碳化硅、碳黑和石墨为原料,聚乙烯吡咯烷酮K90、K30为分散剂,聚甲基丙烯酸铵CE-64为减水剂,采用注浆成型工艺制备碳化硅素坯,并在1700℃下对素坯进行反应烧结制...
![第三代半导体器件专利分析]()
论文摘要以碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带半导体材料具有宽半导体带隙、高电子饱和漂移速度、高热导率、高击穿强度等特点,特别适合制造工作于高频率、高速度、高温的半导体器件和短波长光电...
