• 紫外皮秒激光刻蚀体硅工艺研究

    紫外皮秒激光刻蚀体硅工艺研究

    论文摘要针对体硅的加工应用,开展皮秒紫外激光三维刻蚀单晶硅工艺研究。通过工艺实验,得出在激光脉冲能量6μJ,固定XY点间距4μm,在单晶硅上刻蚀600μm×600μm方槽,单次...