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复合离子注入形成SOI结构及其结构和性能的研究
易万兵[1]2003年在《复合离子注入形成SOI结构及其结构和性能的研究》文中认为SOI(SiliconOnInsulator)技术在军用、航天和商业领域都已取得突破性进展,但仍然存在一些问题。本论文主要研究氢氧共注入以降低SIMOXSOI圆片生产成本,和氮氧共注入形成新结构以提高抗总剂量辐照性能。...
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