载流子迁移率论文

论文摘要钙钛矿半导体具有较强的光吸收能力、较大的载流子迁移率以及广泛可调节的直接带隙,在光电器件应用方面有着巨大的潜力。钙钛矿量子阱由于其特殊的一维受限结构,拥有较快的载流子复...

论文摘要在论文中,以量子力学计算方法为研究基础,采用密度泛函理论和Marcus-Hush转移理论模型模拟了π共轭和氮杂类有机半导体材料分子的载流子传输性质。论文主要包含下面的五...

论文摘要随着密度泛函理论以及相关算法的不断发展与完善,原子尺度的计算模拟已经成为研究材料物理化学性质的重要手段之一。材料中电子或原子周围的环境往往直接决定着其最终的性质。对于环...

论文摘要碳化硅/二氧化硅（SiC/SiO2）界面态电荷数量的减少有利于降低碳化硅金属-氧化物-半导体场效应晶体管（SiCMOSFET）的通态电阻和开关损耗,然而沟道电流的提升会...