增强型氮化镓晶体管论文

基于GaN HEMT的半桥LLC优化设计和损耗分析
论文摘要较之于传统硅器件,新出现的增强型氮化镓晶体管GaNHEMTs(galliumnitridehighelectronmobilitytransistors)具有很高的开关...