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InGaN/GaN量子阱微腔中光子和激子的强相互作用研究
论文摘要InGaN/GaN量子阱具有较高的量子效率、较大的激子结合能、可调节的发光波长、较高的辐射复合速率等诸多优势,因此被广泛应用于激光二极管、发光二极管、激子极化激元LED...