质子单粒子翻转论文

65nm工艺SRAM低能质子单粒子翻转错误率预估
论文摘要质子单粒子效应是纳米工艺集成电路空间应用面临的主要辐射问题之一。本文开展了一款商业级65nm工艺4M×18bit随机静态存储器(SRAM)质子单粒子翻转实验研究。针对地...