• 基于REC技术的InN-DFB半导体激光器的研究

    基于REC技术的InN-DFB半导体激光器的研究

    论文摘要氮化铟作为第三代半导体材料中的一员,其电光性质都有着非常突出的优点,在制作光电子器件上存在着巨大的优势。而半导体激光器经过几十年的发展,现在正在向低功耗、低成本、高精度...